2024年9月10日，国度原子能机构核期间（功率芯片质子放射）研发中心暨国度电力投资集团公司下属核力创芯（无锡）科技有限公司完成首批高能氢离子注入芯片家具录用，家具各项性能主义达到海外先进水平，标记着我国全面掌捏功率芯片高能氢离子注入期间，买通了我国功率芯片产业链要道一环。

现在，该研发中心在江苏无锡确立的国内首条功率芯片高能氢离子注入出产线已建成投运。款式团队以2年时候集智攻关，冲破多项要道中枢期间，完成自主研制的氢离子注入专用加快器调试出束，终结100％期间自主和装备零部件国产化，并完成首批800片芯片录用。

据先容，功率芯片是当代电力电子开垦的中枢部分，等闲运用于军工、新动力、航空航天、轨谈交通、特高压输变电等限制。光刻、刻蚀和离子注入是芯片制造三约莫道次序，其中氢离子注入是终结离子注入的高精尖期间，关于升迁电力电子开垦性能、恶果和可靠性至关伏击。

此前，由于我国氢离子注入中枢期间及装备缺失，国产功率芯片可靠性难以冲破，一度成为制约我国功率芯片产业高端化发展的要道"卡脖子"问题。国度原子能机构充分发达核期间上风，对准功率芯片氢离子注入要道期间，依托涉核企做事单元在加快器、材料放射等核限制期间上风，积极赋能功率芯片研制，助力产业转型升级，为半导体离子注入开垦和工艺的全面国产替代奠定了基础。